高功率半导体激光芯片是整个激光加工产业链的基石与源头，是实现激光系统体积小型化、重量轻质化和功率稳定输出的前提和保证，可广泛应用于先进制造、医疗美容、航空航天、安全防护等领域。欧美等发达国家在高功率、高效率半导体激光芯片研究方面处于领先水平，目前国内实用化的高功率半导体激光器，单管大于5W、单巴条大于40W几乎全部依靠进口，严重制约了我国激光技术产业的发展。

西安光机所人才特聘专家杨国文研究员承担的西安光机所十二五“一三五”自主部署项目“高效率、高功率半导体激光芯片研究”经过一年的技术攻关，取得重要进展。在国内率先突破了高效率、高功率芯片设计，低应力、低缺陷材料与器件制备工艺，高损伤阈值激光腔面处理，FMA失效机理分析等关键技术；完成了四款高端半导体激光芯片的自主研制任务。其中，百瓦级半导体激光芯片的电光转换效率达到国际最好水平，超过国际同类器件的性能指标。项目研制高效率、高功率半导体激光芯片20余只，发表SCI论文2篇，申请专利9项。该项目近期通过结题验收。

“高效率、高功率半导体激光芯片研究”成果打破了我国高端半导体激光芯片长期依赖进口的局面，为“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大应用需求提供核心支撑。

来源: Hsiao Chen