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硅有机混合调制器表现出超高电光活性

发布:HPLSElaser    |    2018-06-07 20:16    阅读:1056
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摘要

高效的电光(EO)调制器极其依赖具有强大的电光活性,并可集成到高速和高效率的移相器结构中的先进材料。本文演示了使用电光发色团“JRD1”在硅有机混合(SOH)马赫曾德调制器(MZM)中达到的高达2300 pm/V的设备内电光指数。这是迄今为止在任何工作波长的高速调制器中能够实现的最高的材料相关器件内电光品质因数。1.5mm长的器件的π电压达到210 mV,因此电压长度乘积为UπL= 320Vμm,这是基于低损耗介质波导的马赫曾德调制器得到的最低值。这些器件通过在低于140 mVpp的驱动电压下以40 Gbit/s的速度得到了品质因数超过8的高质量开关信号。我们预计高效率的高速电光调制器不仅将在光通信领域产生重大影响,而且还将为超快光子电子信号处理开辟新的研究方法。

原文链接: https://www.osapublishing.org/optica/abstract.cfm?uri=optica-5-6-739

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