科技动态

硅上带间级联激光器

发布:HPLSElaser阅读:965时间:2018-9-5 23:37:10

摘要

中红外硅光子系统为各种传感和检测技术的小型化带来了巨大希望。近年来,中红外硅光子系统已经取得了快速进展,现在已经在各种基于硅的平台上构建了许多无源和有源中红外设备。本文作者之前曾报道过在法布里珀罗硅片上的异质集成,以及工作在4.8μm波长下的分布式反馈量子级联激光器。对于许多片上传感技术,带间级联激光器将成为首选,因为它们工作在3~6μm波长范围内,阈值驱动功率比量子级联激光器低1~2个数量级。本文展示了带间级联激光器在硅衬底上的集成,这些激光器在高达50°C的温度下以脉冲模式向绝缘体上的硅波导发射3.6μm的光。这代表了向硅片上的中红外光子集成电路迈出的重要一步,它那个以更低的驱动功率运行,而且需要的封装空间更小。

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