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单层二硒化钨材料中的激子应变调谐

发布:laserbeam    |    2018-10-07 17:45    阅读:313
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近日,美国斯坦福大学和美国SLAC国家加速器实验室的 Ozgur Burak Aslan研究小组对处于拉伸应变下的单层二硒化钨材料进行了激子吸收和激子辐射的调查。在2.1%的拉伸应变条件下,研究者们观察到A激子的能量发生了100毫电子伏特的红移,其结合能也比预期值降低了25毫电子伏特。

一个令人感到惊讶的结果是,在室温下,A激子的线宽在应变作用下几乎减少了两倍,从42毫电子伏特减少到了24毫电子伏特。研究者们对这种效应的解释是,在应变条件下,以声子为媒介的激子散射通道被抑制了。

研究人员对这种通道抑制效应的成因进行了分析,他们指出,该抑制是由于二硒化钨材料导带中的次级谷(secondary valley)在应变条件下发生了一定的相对偏移,而偏移后的次级谷会和形成A激子的K谷几乎达到简并。

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