杂化半导体-超导体一维异质结构微加工的最新进展促进了可控基态的Josephson junctions的实现。与半导体弱耦合的单量子点中的电子数可以由门电压精确控制，而双量子点Josephson junction给对系统基态的控制提供了更大的自由度。

最近，来自哥本哈根大学Niels Bohr研究所、 Jo?ef Stefan研究所、卢布尔雅那大学数学与物理学院的J.C. Estrada Saldaña, A. Vekris, G. Steffensen, R. ?itko,P. Krogstrup, J. Paaske, K. Grove-Rasmussen, and J. Nygård等人，首次展示了通过两个杂质Anderson模型（impurity Anderson model）实验上实现了门控（gate-controlled）S-DQD-S型（S代表超导铅superconducting lead）Josephson junction，并着眼于两个超导铅的弱耦合区域，发现临界电流（critical current）的不连续性取决于量子点中的电子总数，当每个量子点的highest-lying能级的电子数是奇数（偶数），双量子点的基态是双重态（单重态）。另外，他们探测了双量子点系统特有的分子轨道基态，发现了临界电流随着能级简并的失谐（detuning）而变化，在最大轨道杂化时，可以获得最大的临界电流。相关研究发表在近期的《Physical Review Letters》上

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来源：两江科技评论