摘要

在光子芯片上进行光学存储和访问数据是特别令人感兴趣的，因为这种方法将消除数据存储中的光电转换损耗。它还可以通过高保真度的多数据存储实现片上非冯诺依曼光子计算。本文展示了一种光学寻址的多级存储器，它能够使用集成在光子波导上的相变材料Ge2Sb2Te5存储多达34个非易失性可靠和可重复的电平（超过5位）。至关重要的是，本文首次展示了一种允许使用单脉冲对器件进行编程的技术，而不管材料的先前状态如何。这与以前的演示实验相比，改进了一个数量级的时间和能量消耗。本文还研究了写入和擦除脉冲参数对多级存储器中单脉冲重结晶、非晶化和读出误差的影响，从而调整脉冲特性以获得最佳性能。本文的工作代表了光子存储器发展的重要一步，并表现出了它们在新型集成光子应用中的巨大潜力。

原文链接

本文受译者委托，享有该文的专有出版权，其他出版单位或网站如需转载，请与本站联系，联系email：mail#opticsjournal.net。(为防止垃圾邮件，请将#换为@)否则，本站将保留进一步采取法律手段的权利。