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为促进学术交流,加强产学研合作,推动相关领域向纵深发展,同时也为了纪念世界第一台激光器发明60周年,特别是集中展示我国科研工作者在半导体激光器领域的最新成果及研究进展,《中国激光》推出“半导体激光器”特别专题,得到了本领域专家学者的积极响应...详细» ———— 封面故事导读 ———— 中科院半导体研究所黄永箴研究员受邀撰写《正方形-FP耦合腔半导体激光器的激射及热特性研究》研究论文,文章理论分析并制备了1.31 μm 正方形-Fabry-Perot(FP)耦合腔半导体激光器,易于实现单模激射,克服了传统耦合腔激光器稳定性的缺点 ...详细 浙江大学杨青教授、马耀光教授受邀撰写《单模半导体纳米线激光器》综述论文。论文介绍了半导体纳米线激光器的常用材料,并利用圆介质波导模型分析了其基本模式特性,详细阐述了半导体纳米线实现单模激光输出的主要方法以及发展现状,并对各方案面临的挑战进行了总结 ...详细 中科院半导体研究所陆丹研究员受邀撰写《通信波段半导体分布反馈激光器》综述论文,以不同领域的应用需求为线索,对通信波段DFB激光器的设计与进展进行了综述,内容涵盖高速直调DFB激光器、大功率DFB激光器、窄线宽DFB激光器与低相对强度噪声(RIN)DFB激光器等几种重要光源芯片 ...详细 要单模!要高速!单模直调VCSEL这些年的研究进展都在这儿(内封底文章) 中科院半导体研究所刘安金研究员受邀撰写《单模直调垂直腔面发射激光器研究进展》综述论文。论文总结了VCSEL模式控制的基本思路和相关器件结构及其性能,综述了直调VCSEL在速度、能效、温度稳定性等方面的进展,介绍了集成光子超结构VCSEL的研究进展,展望了下一代VCSEL的突破途径以及大功率VCSEL阵列的前景 ...详细 |
↑扫描二维码,添加编辑为好友,即可加入《中国激光》作者微信交流群。 基本信息 创刊:1974年·月刊 名称:中国激光 英文:Chinese Journal of Lasers 电话:021-69917051 |
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———— 专题论文 ———— |
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正方形-FP耦合腔半导体激光器的激射及热特性研究(封面文章)(特邀论文) 黄勇涛,马春光,郝友增,肖金龙,杨跃德,黄永箴 [第一单位] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 [摘要] 理论分析并制备了1.31 μm正方形-Fabry-Perot(FP)耦合腔半导体激光器,其中正方形腔作为FP腔的一个反射端面,其反射率可以通过改变注入正方形腔的电流调节... | ||
片思杰,SalmanUllah,杨青,马耀光 [第一单位] 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室 [摘要] 随着通信行业的快速扩张以及光互联、片上实验室等技术的发展,人们对激光器等器件集成化、小型化的需求日益增长。半导体纳米线激光器由于其独特的一维结构与灵活的带隙调控性能等特点,在微纳激光器领域受到广泛研究... | ||
陆丹,杨秋露,王皓,贺一鸣,齐合飞,王欢,赵玲娟,王圩 [第一单位] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 [摘要] 半导体分布反馈(DFB)激光器以其卓越的光谱特性、调制特性以及低成本、可量产优势已经成为光纤通信、空间光通信中的重要光源,并将在5G、数据中心、激光雷达以及微波光子学等应用中发挥不可替代的作用... | ||
单模直调垂直腔面发射激光器研究进展 (内封底文章)(特邀综述) 刘安金 [第一单位] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 [摘要] 垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有尺寸小、功耗低、效率高、调制带宽大、寿命长、圆形光束、在片测试、易于二维阵列排列等优点,广泛应用于数据通信、传感、激光雷达、材料加工等领域... | ||
孙长征,杨舒涵,熊兵,王健,罗毅 [第一单位] 北京信息科学与技术国家研究中心 [摘要] 随着数据中心、5G宽带无线通信的不断发展,短距宽带传输的需求大幅增长,极大地推动了高速光电器件的发展。在短距应用中,虽然直接调制激光器具有低成本... | ||
刘慧,龚旗煌,陈建军 [第一单位] 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 [摘要] 胶质量子点作为一种半导体纳米晶体,具有量子产率高(约为100%)、辐射波长可调、性质稳定、折射率较高、可溶液处理和制作成本低廉等优点,被广泛用作微纳激光器的增益材料... | ||
刘峰奇,张锦川,刘俊岐,卓宁,王利军,刘舒曼,翟慎强,梁平,胡颖,王占国 [第一单位] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 [摘要] 因量子级联激光器的工作波长可覆盖红外到太赫兹波段,在大气污染检测、工业污染监控、医学诊断、毒品及生化危险品灵敏检测、自由空间通信等领域具有广泛的应用前景... | ||
王琪,钟阳光,赵丽云,史建伟,张帅,王公堂,张青,刘新风 [第一单位] 山东师范大学物理与电子科学学院 [摘要] 二维过渡金属硫族化合物(TMDC)具有独特的优势,可以作为增益材料实现激光发射。TMDC材料固有的强库仑相互作用和弱的介电屏蔽效应使其具有大的激子结合能... | ||
万文坚,黎华,曹俊诚 [第一单位] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室 [摘要] 量子级联激光器(QCL)是一种基于多量子阱子带间跃迁的单极性半导体激光器,激射频率位于中远红外以及太赫兹(THz)波段。在1~5 THz激射频率范围内... | ||
智婷,陶涛,刘斌,张荣 [第一单位] 南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院 [摘要] 激光技术的发展推动了现代科学与技术的进步,改变了人类的生活。其中微型化激光光源成为目前的研究热点之一。得益于金属等离激元的光场强局域化作用... | ||
于果,李俊超,温培钧,胡晓东 [第一单位] 北京大学物理学院 [摘要] 半导体微纳米线激光器可作为集成的相干光源,在光通信、光计算、传感器、生物学研究等领域有着广泛的应用前景。介绍了国内外在实现半导体微纳米线激光器波长可调谐及单模激射方面的研究进展... | ||
杨天瑞,徐欢,梅洋,许荣彬,张保平,应磊莹 [第一单位] 厦门大学电子科学与技术学院 [摘要] 氮化镓(GaN)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在近20年来获得了飞速发展,已成为下一代半导体激光器的研究热点。GaN是制造从紫外波段到绿色波段光电子器件的绝佳材料... | ||
张浩然,孙嘉诚,邓志磊,邹俊龙,陈佳炜,何熙,王涛,王高峰 [第一单位] 杭州电子科技大学智能微传感器与微系统教育部工程研究中心 [摘要] 纳米光学是光子学与纳米技术交叉产生的一个新的前沿基础方向,可以使人们在纳米尺度上操控光与物质的相互作用以及探索新的物理现象。纳米激光器是一种新型光源,有关它的研究是纳米光学领域的一个重要分支... | ||
陆寰宇,佟存柱,王子烨,田思聪,汪丽杰,佟海霞,李儒颂,王立军 [第一单位] 中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室 [摘要] 光子晶体面发射激光器(PCSEL)是一种可以实现极低发散角(小于1°)、高功率激光输出的新型半导体激光器,在激光雷达、空间通讯、传感和激光加工等领域有着重要的应用前景... | ||
向进,徐毅,兰胜 [第一单位] 暨南大学信息科学技术学院电子工程系 [摘要] 与贵金属纳米颗粒相比,全介质纳米颗粒因支持光频段低损耗的米氏共振而受到广泛关注,成为纳米光子学中增强光与物质间相互作用的重要材料... | ||
吕尊仁,张中恺,王虹,丁芸芸,杨晓光,孟磊,柴宏宇,杨涛 [第一单位] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 [摘要] 由于半导体量子点具有很强的三维量子限制效应,量子点(QD)激光器展现出低阈值电流、高调制速率、高温度稳定、低线宽增强因子和高抗反射等优异性能,有望在未来高速光通信及高速光互连等领域有重要的应用... | ||
梁锋,赵德刚,江德生,刘宗顺,朱建军,陈平,杨静 [第一单位] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 [摘要] 详细研究了n型AlGaN限制层与InGaN上波导对GaN基绿光激光器光场分布与电学特性的影响,结果表明:增加n型AlGaN限制层厚度或提高InGaN上波导中的铟组分可以... | ||
蒋春,陈泉安,王宽宽,陆巧银,国伟华 [第一单位] 华中科技大学武汉光电国家研究中心 [摘要] 提出了一种新型单片集成大范围可调谐半导体激光器——多通道干涉(MCI)激光器,采用多臂干涉进行选模,制作简单且容差大。基于电光效应调谐的MCI激光器波长... | ||
1160 nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备(特邀研究论文) 张卓,宁永强,张建伟,张继业,曾玉刚,张俊,张星,周寅利,黄佑文,秦莉,刘云,王立军 [第一单位] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室 [摘要] 1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积累效应,限制高功率输出... | ||
张俊,彭航宇,付喜宏,秦莉,宁永强,王立军 [第一单位] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室 [摘要] 高功率800 nm波段半导体激光器是远距离照明的优选光源之一,但受光束质量及亮度限制,难以远距离传输,提升高功率800 nm半导体激光器的光束质量及亮度是关键... | ||
基于正交光注入增益开关850 nm-VCSEL获取双路宽带光学频率梳的方案 樊利,郑小梅,夏光琼,吴正茂 [第一单位] 西南大学物理科学与技术学院 [摘要] 提出了基于正交光注入增益开关850 nm垂直腔面发射激光器(850 nm-VCSEL)获取梳距可调双路宽带光学频率梳(OFC)的方案,通过数值仿真研究了系统参量对OFC性能的影响... | ||
基于VCSEL的湿法氧化工艺的温度依赖性研究(特邀研究论文) 陈磊,罗妍,冯源,晏长岭,范杰,高欣,邹永刚,郝永芹 [第一单位] 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 [摘要] 湿法氧化工艺是垂直腔面发射激光器(VCSEL) 制备过程中极为关键的技术,但目前氧化工艺的稳定性和可控性仍有待完善。针对氧化过程中的核心因素... | ||
高增益CsPbBr3钙钛矿纳米棒的研制及其稳定性研究(特邀研究论文) 时月晴,李如雪,余佳豪,王胜,杨绪勇,陈锐 [第一单位] 南方科技大学电子与电气工程系 [摘要] 通过在CsPbBr3纳米晶体中加入油胺铟(In(OAm)3)和支化三(二乙胺)膦(TDP)配体,在减缓晶体生长速度的同时促进取向生长,获得了CsPbBr3钙钛矿纳米棒材料... | ||
胡磊,张立群,刘建平,黄思溢,任霄钰,田爱琴,周伟,熊巍,李德尧,池田昌夫,杨辉 [第一单位] 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院 [摘要] 高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有很大的应用前景。通过优化蓝光激光器p-AlGaN限制层的生长温度... | ||
2.75 μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器(特邀研究论文) 袁野,柴小力,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,李森森,张宇,徐应强,宿星亮,牛智川 [第一单位] 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 [摘要] 设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶... | ||
基于标准CMOS技术的新型多晶硅发光器件的设计与实现(特邀研究论文) 艾康,程骏骥,朱坤峰,吴克军,刘钟远,刘志伟,赵建明,黄磊,徐开凯 [第一单位] 电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室 [摘要] 目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁... | ||
郭文涛,郭小峰,谭满清 [第一单位] 电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室 [摘要] 对974 nm双光纤光栅激光器的温度特性进行理论分析与实验研究,理论模拟了双光纤光栅的栅距对反射率的影响。先在室温(25 ℃)下测试器件的光谱... |
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