光学学报, 2023, 43 (19): 1928001, 网络出版: 2023-09-28   

不同偏置条件下CMOS图像传感器质子辐照损伤效应的实验与分析 下载: 1037次

Experiment and Analysis of Damage of CMOS Image Sensor Induced by Proton Irradiation with Different Bias Conditions
作者单位
1 湘潭大学材料科学与工程学院,湖南 湘潭 411105
2 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所),陕西 西安 710024
基本信息
DOI: 10.3788/AOS230592
中图分类号: TN386.5
栏目: 遥感与传感器
项目基金: 国家自然科学基金(U2167208,11875223)、国家重点实验室基金(SKLIPR1803,SKLIPR2012,SKLIPR2113)
收稿日期: 2023-02-23
修改稿日期: 2023-03-27
网络出版日期: 2023-09-28
通讯作者: 王祖军 (wzj029@qq.com)
备注: --

聂栩, 王祖军, 王百川, 薛院院, 黄港, 赖善坤, 唐宁, 王茂成, 赵铭彤, 杨馥羽, 王忠明. 不同偏置条件下CMOS图像传感器质子辐照损伤效应的实验与分析[J]. 光学学报, 2023, 43(19): 1928001. Xu Nie, Zujun Wang, Baichuan Wang, Yuanyuan Xue, Gang Huang, Shankun Lai, Ning Tang, Maocheng Wang, Mingtong Zhao, Fuyu Yang, Zhongming Wang. Experiment and Analysis of Damage of CMOS Image Sensor Induced by Proton Irradiation with Different Bias Conditions[J]. Acta Optica Sinica, 2023, 43(19): 1928001.

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