光子学报, 2004, 33 (9): 1029, 网络出版: 2007-09-17
高功率InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器的研制
High-power InGaAs Quantum Wells Vertical-cavity Surface-emitting Laser
摘要
采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作(脉冲宽度为50 μs,重复频率为1000 Hz),并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试.器件阈值电流为 460 mA,器件的最大光输出功率为 100 mW,发射波长为 978.6 nm,光谱半功率全宽度为1.0 nm,远场发散角小于10°,垂直方向的发散角θ⊥为8°,水平方向的发散角θ∥为9°,基本为圆形对称光束.
Abstract
晏长岭, 宁永强, 秦莉, 张淑敏, 赵路民, 王青, 刘云, 初国强, 王立军, 姜会林. 高功率InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器的研制[J]. 光子学报, 2004, 33(9): 1029. 晏长岭, 宁永强, 秦莉, 张淑敏, 赵路民, 王青, 刘云, 初国强, 王立军, 姜会林. High-power InGaAs Quantum Wells Vertical-cavity Surface-emitting Laser[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2004, 33(9): 1029.
PDF全文
