光学仪器, 2006, 28 (4): 56, 网络出版: 2008-08-12
HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究
Study of plasma treatment on multi-layer film for HgCdTe photovoltaic detector
摘要
在HgCdTe光伏探测器件SiO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和Ar+刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件.对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O+2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而Ar+刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使SiO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力.
Abstract
储开慧, 乔辉, 汤英文, 陈江峰, 胡亚春, 贾嘉, 李向阳, 龚海梅. HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究[J]. 光学仪器, 2006, 28(4): 56. 储开慧, 乔辉, 汤英文, 陈江峰, 胡亚春, 贾嘉, 李向阳, 龚海梅. Study of plasma treatment on multi-layer film for HgCdTe photovoltaic detector[J]. Optical Instruments, 2006, 28(4): 56.
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