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铝插入层对硅基AlN外延特性的影响

Influence of Al Interlayer on the Growth of AlN on Si(111) Substrate

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摘要

采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明, Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量, 而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时, 采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN, 否则倾向于获得N极性的AlN。

Abstract

The influence of Al interlayer on the growth of AlN on Si(111) substrate was studied by using PA-MBE. It is found that the AlN crystalline quality is improved by introducing the Al interlayer, and the holes on epitaxial surface can be eliminated by adopting a pre-diffusing process. Futhermore, the AlN grown with pre-diffusing Al interlayer proves to be Al-polar, otherwise presenting N-polar characteristics.

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补充资料

中图分类号:TN304.2

所属栏目:材料、结构及工艺

基金项目:国家自然科学基金项目(61176015, 51002085).

收稿日期:2012-05-16

修改稿日期:--

网络出版日期:--

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胡懿彬:清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084
郝智彪:清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084
胡健楠:清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084
钮浪:清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084
汪莱:清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084
罗毅:清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084

联系人作者:胡懿彬(apollozip@sina.com)

备注:胡懿彬(1987-), 男, 苏州人, 硕士生, 主要从事Ⅲ族氮化物半导体材料及相关微纳器件的研究。

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引用该论文

HU Yibin,HAO Zhibiao,HU Jiannan,NIU Lang,WANG Lai,LUO Yi. Influence of Al Interlayer on the Growth of AlN on Si(111) Substrate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2012, 33(6): 826-829

胡懿彬,郝智彪,胡健楠,钮浪,汪莱,罗毅. 铝插入层对硅基AlN外延特性的影响[J]. 半导体光电, 2012, 33(6): 826-829

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