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材料、结构及工艺
铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
胡懿彬 *郝智彪 胡健楠 钮浪 [ ... ]罗毅 
作者单位
摘要
清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明, Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量, 而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时, 采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN, 否则倾向于获得N极性的AlN。
Al插入层 Si衬底 PA-MBE PA-MBE AlN AlN Al interlayer Si substrate 
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半导体光电
2012, 33(6): 826
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