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金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究

Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe and its Secondary Ion Mass Spectrum

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摘要

通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS)技术分析了Au在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势。利用SIMS技术还分析了I、II族和VI、VII族杂质在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用。研究结果对提高探测器的性能具有指导意义。

Abstract

Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial layer materials were grown by using a vapor phase epitaxial method. The layer materials were characterized by a Fourier spectrometer and a metallographic microscope. The longitudinal distribution trend of Au in the Hg1-xCdxTe epitaxial layer and CdZnTe substrate was analyzed by Secondary Ion Mass spectrometry (SIMS). In addition, the longitudinal distribution trend of I and II impurities and VI and VII impurities in the Hg1-xCdxTe epitaxial layer and CdZnTe substrate was also analyzed by SIMS. It was found that the transition region between the substrate and the epitaxial layer can absorb the impurities. This result is of significance to the improvement of detectors in performance.

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补充资料

中图分类号:O472+.3

DOI:10.3969/j.issn.1672-8785.2016.10.001

所属栏目:研究论文

基金项目:国家自然科学基金项目(61106097; 61204134; 11304335);中国科学院三期创新项目(CX-26);中国载人空间站工程(TGJZ800-2-RW024)

收稿日期:2016-08-19

修改稿日期:--

网络出版日期:--

作者单位    点击查看

王仍:中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
焦翠灵:中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
张莉萍:中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
陆液:中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
张可锋:中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
杜云辰:中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
李向阳:中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083

联系人作者:王仍(rwang@mail.sitp.ac.cn)

备注:王仍(1980-),女,山东滕州人,副研究员,博士,主要研究方向为II-VI族半导体材料生长。

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引用该论文

WANGReng,JIAO Cui-ling,ZHANG Li-ping,LU Ye,ZHANG Ke-feng,DU Yun-chen,LI Xiang-yang. Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe and its Secondary Ion Mass Spectrum[J]. INFRARED, 2016, 27(10): 1-6

王仍,焦翠灵,张莉萍,陆液,张可锋,杜云辰,李向阳. 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究[J]. 红外, 2016, 27(10): 1-6

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