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化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

Study of the sub-surface damage of HgCdTe induced by chemical-mechanical polishing method

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摘要

针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征, 认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试, 认为将该亚表面损伤层完全去除后, 材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。

Abstract

Study of the sub-surface damage induced by chemical-mechanical polishing method has been carried out for HgCdTe material. The optical characterization was performed for the surface after repeated step removal by wet etching using spectroscopic ellipsometry. It was found that the depth of sub-surface damage layer was about 15-20 times of the diameter of the abrasive particles. Through the comparison of the minority carrier lifetime and performance of the ultimate photoconductive detectors, it was considered that an obvious improvement could be achieved by a complete removal of this sub-surface damage layer.

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补充资料

中图分类号:TN21

DOI:10.3788/irla201645.1204001

所属栏目:红外技术及应用

基金项目:国家自然科学基金(11304335)

收稿日期:2016-04-17

修改稿日期:2016-05-20

网络出版日期:--

作者单位    点击查看

乔辉:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083中国科学院大学, 北京 100049
陈心恬:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083山东大学 信息科学与工程学院, 山东 济南 250100
赵水平:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
兰添翼:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
王妮丽:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
朱龙源:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
李向阳:中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083

联系人作者:乔辉(qiaohui@mail.sitp.ac.cn)

备注:乔辉(1979-), 男, 副研究员, 主要从事碲镉汞红外器件物理与工艺方面的研究。

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引用该论文

Qiao Hui,Chen Xintian,Zhao Shuiping,Lan Tianyi,Wang Nili,Zhu Longyuan,Li Xiangyang. Study of the sub-surface damage of HgCdTe induced by chemical-mechanical polishing method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(12): 1204001

乔辉,陈心恬,赵水平,兰添翼,王妮丽,朱龙源,李向阳. 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(12): 1204001

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