半导体光电, 2015, 36 (4): 556, 网络出版: 2015-09-08   

量子点电致发光器件发光层能级变化与驱动电压的关系研究

Research on the Relationship Between the Level Changes and Driving Voltage in the Light Emitting Layer of QLEDs
作者单位
1 北京信息科技大学 自动化学院, 北京 100101
2 北京交通大学 电子信息工程学院, 北京 100044
引用该论文

高慧, 李邓化, 伊丽娜, 马航. 量子点电致发光器件发光层能级变化与驱动电压的关系研究[J]. 半导体光电, 2015, 36(4): 556.

GAO Hui, LI Denghua, YI Lina, MA Hang. Research on the Relationship Between the Level Changes and Driving Voltage in the Light Emitting Layer of QLEDs[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(4): 556.

参考文献

[1] 虞丽生.半导体异质结物理[M]. 北京: 科学出版社,2006.

    Yu Lisheng.Semiconductor Heterojuction Physics[M]. Beijing: Science Press, 2006.

[2] Neamen D H.半导体物理与器件[M]. 赵毅强, 姚素英, 解晓东, 等译. 北京: 电子工业出版社,2010.

    Neamen D H. Semiconductor Physics and Devices[M]. Beijing: Electronic Industry Press, 2010.

[3] Qian L,Zheng Y, Xue J, et al. Stable and efficient quantum-dot light-emitting diodes based on solution-processed multilayer structures[J].Nature Photonics,2011,5(9): 543-548.

[4] 于文革.有机/无机异质节的各种材料、结构、性质及机理系统的研究[D].长春: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2004.

    Yu Wenge.The study on structures, materials, Properties and mechanisms of organic-inorganic heterojunction electroluminescence[D].Changchun: Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics of the Chinese Academy of Sciences,2004.

[5] 李芝, 陈静.量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响[J].中国科技论文,2014,1(9): 1-3.

    Li Zhi,Chen Jing. The effect of Quantum dot layer thickness on the quantum dot light emitting diode luminescence properties[J] China Sciencepaper,2014,1(9): 1-3.

[6] Wang R Z,Din g X M, Wang B, et al. Structural Enhancement Mechanism of Field Eission from Mltilayer Semiconductor Films[J] . Phys. Rev. B, 2005(72): 125310.

[7] Wang R Z,Ding X M. Multipeak characteristics of field emission energy distribution from semiconductors[J]. Phys. Rev. B, 2004,70(19): 305-311.

[8] Sun Q,Wang Y A, Li L S, et al. Bright, multicoloured light-emitting diodes based on quantum dots[J]. Nature Photonics, 2007, 1(12): 717-722.

高慧, 李邓化, 伊丽娜, 马航. 量子点电致发光器件发光层能级变化与驱动电压的关系研究[J]. 半导体光电, 2015, 36(4): 556. GAO Hui, LI Denghua, YI Lina, MA Hang. Research on the Relationship Between the Level Changes and Driving Voltage in the Light Emitting Layer of QLEDs[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(4): 556.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!