为研究量子点发光器件结构与性能的关系, 制备了以CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层, Alq3作为电子传输层的量子点发光二极管, 对器件结构及性能参数进行了表征, 结果显示器件具有开启电压低、色纯度高等特点。结合测试数据, 对量子点发光二极管进行了器件结构建模, 利用隧穿模型及空间电荷限制电流模型对实验结果进行了分析, 研究了器件中载流子的注入与传输机理。器件测试与仿真结果表明: 各功能层厚度会影响载流子在量子点层的注入平衡, 同时器件中载流子的注入与传输存在一转变电压, 当外加电压低于转变电压时, 器件中载流子的注入主要符合隧穿模型; 当外加电压高于转变电压时, 器件中载流子的注入主要符合空间电荷限制电流模型。研究结果验证了器件结构建模的合理性, 可以利用仿真的方法进行器件结构优化并确定相关参数, 这对器件性能的提高具有指导意义。

以量子点电致发光器件(QLED)中能级分布和载流子浓度的关系为理论基础, 研究了QLED发光层能级变化与驱动电压的关系, 建立了数学模型。以CdSe/ZnS核壳结构量子点为发光层, 计算了器件正常发光时的阈值电压, 分析了电流密度与量子点中电子准费米能级与空穴准费米能级之差的关系。结果表明, 当驱动电压大于9.8V时, CdSe/ZnS中电子的准费米能级与空穴的准费米能级之差大于1.03eV, 量子点电致发光器件正常发光; 理论模型证实由于电子在发光层与电子传输层界面的大量积聚, 导致淬灭发生, 降低发光效率。

通过两个步骤,构造了广义 Zakharov-Kuzentsov方程的无穷序列类孤子新解。利用首次积分与函数变换,把一种非线性常微分 方程转化为几种常用的辅助方程,并获得了几种常用辅助方程的新解、B?cklund变换和解的非线性叠加公式。 借助一系列的变换与符号计算系统Mathematica,构造了广义 Zakharov-Kuzentsov方程的无穷序列类孤子新解。

利用第二种椭圆方程和符号计算系统Mathematica, 构造了非线性LC电路方程的多种无穷序列新解。 这里包括由Riemann theta函数、Jacobi椭圆函数、双曲函数、三角函数组成的无穷序列光滑形式新解、指数函数和三角函数组 成的无穷序列尖峰孤立子新解、Jacobi椭圆函数和三角函数组成的紧孤立子新解。