利用LB（Langmuir‑Blodgett）转移印刷技术成功制备了分辨率为12 700 ppi的高性能QLED（Quantum Dot Light‑emitting Devices，量子点发光二极管）。通过该方法制备的超高分辨率红色QLED器件的EQE为15.27%。此外还成功制备了EQE为4.9%的超高分辨率白色QLED器件。本工作为下一代高分辨率显示器的实现提供了一种思路。

作为传统显示器强有力的竞争者之一，量子点发光二极管（QLED）在显示领域备受关注。然而，高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅，这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利，也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此，高质量无镉无铅型蓝光量子点材料的研发成为推动新型显示产业发展的动力和业界迫切追求的目标。历经数十年发展，InP和ZnSe等无镉无铅量子点材料的蓝光发射性能已取得较大进步，随着合成策略及蓝光材料的进一步优化改进，环境友好型蓝光量子点发光二极管器件性能有望追上传统红、绿光量子点器件的步伐。本文分别从合成优化手段、表面包覆策略、核壳结构类型、发光性能参数等方面进行汇总，系统综述了当前无镉无铅型蓝光InP和ZnSe量子点材料的研究进展，指出了QLED蓝光材料未来的发展方向。

分辨率是评估一个显示器性能的重要指标之一。不仅限于消费电子产品领域中厂商的竞争需求，科研、工业和医学等领域的发展也迫切需要更高分辨率的显示设备以显示精度更高的图像。除此之外，虚拟和增强现实技术使超高分辨率显示器能提供更丰富的人机交互体验。超高分辨率显示技术也逐渐成为一个热门的研究方向。本文介绍了基于发光二极管的各类新型显示技术中实现高分辨率显示的技术手段和实现方案，总结了每种方案的适用条件和优缺点，并指出了各项技术现阶段面临的主要挑战。一直以来，我们团队长期致力于量子点发光二极管显示的电致发光图案化和高分辨率显示研究，本文也介绍了本团队近期取得的突破性的研究成果。

空穴注入效率低是制约蓝色量子点发光二极管（QLEDs）性能的关键因素。通过提升PEDOT∶PSS的电导率来增加器件的空穴注入效率是提升蓝色QLEDs性能的重要方向。由于二维材料碳化钛（Ti₃C₂T_x）具有较高的导电性、丰富的表面官能团及良好的亲水性等优点，有望通过掺杂提高PEDOT∶PSS的电导率。本文采用HCl/LiF刻蚀法制备了单层Ti₃C₂T_x纳米片，并将其掺杂到PEDOT∶PSS中制备了蓝色QLEDs器件。结果表明，当Ti₃C₂T_x的掺杂量为0.1%时，器件的最大外量子效率和电流效率分别达到15.2%和14.42 cd·A^-1，与参比器件的9.09%和7.68 cd·A^-1相比，分别提高了67%和87%。Ti₃C₂T_x纳米片对蓝色QLEDs器件性能提升有两个作用，一方面诱导PEDOT的构型从苯态到喹啉态转变，形成紧密堆积的大尺寸PEDOT纳米晶，并将这些导电纳米晶连接起来，构筑了新的电荷传输通道，提高了复合层的电导率；另一方面，通过掺杂实现了PEDOT∶PSS功函数的调节，提升了蓝色QLEDs器件的空穴注入效率。

量子点发光二极管(QLEDs)由于具有独特的光电特性，可应用于照明和显示行业，其外量子效率（EQEs）正迅速接近商业化要求。然而，器件的稳定性和工作寿命仍然是QLEDs商业化应用面临的关键问题。本文将影响QLEDs寿命的主要因素分为功能层材料的稳定性和电荷注入不平衡两大方面，从提高量子点、电荷传输层(CTLs)的稳定性以及促进电荷平衡等方面讨论了近年来提高QLEDs稳定性的各种策略。随着人们对QLEDs降解机制认识的加深，更稳定的量子点和QLEDs器件得以开发，但是将QLEDs器件商业化仍存在很大的挑战，比如Cd的高毒性以及蓝光QLEDs的寿命和效率远低于绿光和红光相对应的水平，此外，QLEDs在高亮度(1000 cd m^–2)下的稳定性较差，这些因素均限制了QLEDs的发展。因此，应进一步加大QLEDs在光电器件领域的研发力度，克服这些技术劣势，实现QLEDs未来的商业化。