利用LB（Langmuir‑Blodgett）转移印刷技术成功制备了分辨率为12 700 ppi的高性能QLED（Quantum Dot Light‑emitting Devices，量子点发光二极管）。通过该方法制备的超高分辨率红色QLED器件的EQE为15.27%。此外还成功制备了EQE为4.9%的超高分辨率白色QLED器件。本工作为下一代高分辨率显示器的实现提供了一种思路。

分辨率是评估一个显示器性能的重要指标之一。不仅限于消费电子产品领域中厂商的竞争需求，科研、工业和医学等领域的发展也迫切需要更高分辨率的显示设备以显示精度更高的图像。除此之外，虚拟和增强现实技术使超高分辨率显示器能提供更丰富的人机交互体验。超高分辨率显示技术也逐渐成为一个热门的研究方向。本文介绍了基于发光二极管的各类新型显示技术中实现高分辨率显示的技术手段和实现方案，总结了每种方案的适用条件和优缺点，并指出了各项技术现阶段面临的主要挑战。一直以来，我们团队长期致力于量子点发光二极管显示的电致发光图案化和高分辨率显示研究，本文也介绍了本团队近期取得的突破性的研究成果。

金属卤化物钙钛矿量子点因其具有高光致发光量子产率、高色纯度、带隙可调等优良的光学性能，具备成为下一代发光显示材料的潜力。目前，红绿钙钛矿量子点发光二极管（PQLED）的电致发光效率已经达到有机发光二极管（OLED）的水平。然而，有机长链配体阻碍了电荷的传输，导致钙钛矿量子点发光二极管在最大外量子效率（EQE）下的亮度较低。为了实现钙钛矿量子点发光二极管在最大EQE下仍然具有较高的发光亮度，我们用无机配体CaBr₂部分替换有机长链配体，强化PQLED中的载流子传输，并提升电致发光的载流子注入。同有机长链配体和有机短链配体相比，无机配体能够减缓有机链存在所造成的电绝缘性，改善QDs电导性，进一步增强QDs的发光特性。基于这种策略，我们实现了在3 753 cd/m² 高亮度下峰值EQE为10.57%的钙钛矿量子点发光二极管。在6.6 V的工作电压下，PQLED的最大亮度高达116 612 cd/m²。

采用基于光酸反应的光刻工艺，获得均匀的红、绿、蓝三基色量子点薄膜作为发光层，成功制备出高分辨全彩QLED器件（子像素宽度5 μm）。通过对光刻量子点表面进行配体钝化，并引入电荷阻挡层以降低非发光区的漏电流，明显提升了全彩QLED的器件性能，所制备器件的最大亮度为23 831 cd/m²，外量子效率为3.78%。

喷墨打印作为一种工序简单、低成本、无掩模、非接触、承印基板和墨水材料选择广的数字化制备工艺，广泛应用于多种领域。利用喷墨打印技术，以PEDOT∶PSS为空穴注入层，PFSO为发光层，并蒸镀Ba和Al电极，实现像素化蓝光OLED器件的制备。通过精确调控打印喷头驱动参数调整墨滴喷射特性，并调控墨水张力、粘度等参数，获得平整的发光像素阵列，所制备的器件的最大亮度为1 100 cd/m²，外量子效率为1.1%。