采用基于光酸反应的光刻工艺，获得均匀的红、绿、蓝三基色量子点薄膜作为发光层，成功制备出高分辨全彩QLED器件（子像素宽度5 μm）。通过对光刻量子点表面进行配体钝化，并引入电荷阻挡层以降低非发光区的漏电流，明显提升了全彩QLED的器件性能，所制备器件的最大亮度为23 831 cd/m²，外量子效率为3.78%。

利用WO₃/ZnO作为电荷产生层（CGL）制备了具有倒置结构的量子点电致发光器件（QLED），相比于传统的基于单层ZnO作为电子传输层的QLED，利用CGL‐QLED的电流效率提高了近30%。这主要归因于CGL的电子注入具有电场依赖特性，从而使得器件中的电荷注入更加平衡，提高了激子的形成效率，抑制了载流子导致的猝灭过程。此外，我们通过瞬态电致发光光谱技术及电容特性测试，分析了基于CGL的QLED的器件工作机制，发现CGL中可以存储大量的载流子，从而使得器件在脉冲电压驱动时出现发光过冲现象。其环境稳定性也与常规的基于ZnO的器件一致。而由于CGL独特的电荷产生机制，使得其不依赖于电极功函数特性。我们相信，这种器件结构在改善器件稳定性及良率方面有着巨大潜力。