喷墨打印制备的量子点（Quantum dots，QDs）薄膜形貌对多层发光器件的性能影响显著（如量子点发光二极管），其中咖啡环与拱状形貌是典型的薄膜均匀性问题，通过液滴调控实现高质量QDs薄膜是发展量子点电致发光显示的关键。研究工作表明，通过溶剂实施的墨水调控被证明是改变沉积薄膜形貌的有效手段。然而，优化出可消除咖啡环或拱状形貌的墨水流变参数往往需要大量耗时的实验，墨水配制筛选效率低。本研究基于薄膜形貌分析结合机器学习方法，试图将溶剂流变参数与喷墨打印QDs薄膜形貌直接联系起来，并以红光QDs为溶质，以烷烃或直链酯类为溶剂，研究发现通常使用的一元溶剂和二元溶剂体系中，所使用溶剂的沸点比表面张力或粘度参数对薄膜沉积形貌的影响更加显著，在二元溶剂中薄膜形貌与沸点较高的溶剂组分密切相关。为得到厚度均匀的平整薄膜，建议一元溶剂墨水体系的溶剂或二元溶剂墨水体系中较高沸点的溶剂的沸点范围为250~265 ℃。

钙钛矿由于其出色的光电特性，在显示和照明领域具有潜在的应用价值。为降低重金属Pb含量，本文采用锗离子（Ge²⁺）部分取代Pb²⁺进行合金化，并探索提高其电致发光性能的途径。由于Ge合金化可以使钙钛矿容忍因子更趋近于1，有望提高器件的发光稳定性。结果表明，Ge合金钙钛矿薄膜的光致发光性能在一定水氧条件下可以得到较大幅度提高，器件发光稳定性也同时得到提升。这主要归因于水氧共同作用使合金钙钛矿表面形成了GeO₂，一定程度上钝化了钙钛矿薄膜表面缺陷，阻止了水氧的进一步渗透。得到的绿光PeLED器件最大外量子效率（EQE_max）为11.8%，亮度为8×10³ cd/m²，较非合金化器件的发光寿命延长了3倍，在100 cd/m²初始亮度下稳定性T₅₀从~2 h提升至~6 h，这是目前文献报道Ge合金钙钛矿发光二极管最长的发光寿命。

经过30多年的发展，得益于对高效有机半导体材料、新型器件结构、器件工作机理的深入理解以及产业界坚持不懈的工程探索，有机发光二极管（Organic light⁃emitting diodes，OLEDs）的综合性能取得了突破性进展，并成功实现了商业化应用，OLEDs新型显示已成为新一代信息技术的先导性支柱产业。本文将从OLEDs器件角度阐述有机电致发光器件以及显示驱动的研究进展，首先结合光电器件性能提升介绍OLED的基本器件结构演变过程，随后系统性重点阐述现阶段产业上广泛使用以及极具应用前景的器件结构，包括p⁃i⁃n OLEDs 器件结构、叠层器件结构、非掺杂器件结构，最后简述OLEDs显示驱动技术，以期为相关科研工作者提供一些有益的参考。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT）作为像素中的开关元器件，与存储电容一起组成电子纸显示器的驱动电路。本文按照柔性TFT有源层的不同进行分类：有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT）、非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistor，a-Si TFT）、金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor，MOTFT），介绍它们在柔性电子纸显示器中的研究进展，着重关注器件的柔性、电学特性以及稳定性。最后进行了对比分析，提出MOTFT有望凭借优良的电学特性、高光学透明性以及相对较低的工艺温度等优势成为驱动下一代柔性电子纸显示器的最佳候选者。

共掺Rb⁺、Zn²⁺得到了（Cs_0.8Rb_0.2）（Pb_0.93Zn_0.07）（Br_1.8Cl_1.2）蓝光钙钛矿量子点。相比未掺杂的CsPb（Br_1.8Cl_1.2）量子点，Rb⁺、Zn²⁺与卤素离子（Br^-、Cl^-）形成更加稳定的钙钛矿八面体晶型，抑制了Cl^-空位缺陷的形成，提高了量子点的稳定性。掺杂后的量子点溶液光致发光效率从未掺杂的5%显著提高到52%，同时辐射复合也得到了显著增强。Rb⁺、Zn²⁺共掺使量子点的HOMO能级上移0.31 eV，降低了从空穴传输层（HTL）到发光层（EML）的注入势垒，有利于空穴注入。基于Rb⁺、Zn²⁺共掺的蓝光钙钛矿量子点，设计了结构为ITO/PEDOT∶PSS/TFB/Pe-QDs/TPBi/LiF/Al的发光二极管器件，得到发光峰位于470 nm、半峰宽为19 nm的蓝光发射，最大外量子效率（EQE_max）达到3.55%。

设计了空穴传输材料聚乙烯基咔唑（PVK）与绿光无镉磷化铟（InP）量子点共混体系，改善了量子点团聚效应，减少了量子点之间相互作用产生的非辐射Förster能量转移（FRET），提高了共混无镉量子点薄膜的光致发光效率（PLQY），从24.2%提升至30.1%。同时，PVK的掺入提高了共混发光薄膜的空穴传输性能，改善了量子点电致发光器件的载流子平衡，使器件的最大外量子效率（EQE）达到5.94%，较未掺杂器件提高了32%。该聚合物掺杂方法可为研制高性能绿光InP量子点发光二极管提供参考。