中国激光, 2011, 38 (9): 0906002, 网络出版: 2011-08-05   

指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究

Research on Surface Photovoltage Spectroscopy for Exponential Doping Transmission-Mode GaAs Photocathodes
作者单位
1 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
2 中国计量学院光学与电子科技学院, 浙江 杭州 310018
引用该论文

陈亮, 钱芸生, 常本康, 张益军. 指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究[J]. 中国激光, 2011, 38(9): 0906002.

Chen Liang, Qian Yunsheng, Chang Benkang, Zhang Yijun. Research on Surface Photovoltage Spectroscopy for Exponential Doping Transmission-Mode GaAs Photocathodes[J]. Chinese Journal of Lasers, 2011, 38(9): 0906002.

引用列表
1、 不同掺杂砷化镓光电阴极光电发射性能分析光学学报, 2016, 36 (10): 1023001

陈亮, 钱芸生, 常本康, 张益军. 指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究[J]. 中国激光, 2011, 38(9): 0906002. Chen Liang, Qian Yunsheng, Chang Benkang, Zhang Yijun. Research on Surface Photovoltage Spectroscopy for Exponential Doping Transmission-Mode GaAs Photocathodes[J]. Chinese Journal of Lasers, 2011, 38(9): 0906002.

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