半导体光电, 2014, 35 (4): 625, 网络出版: 2014-09-01
无掩模Si圆柱纳米图形衬底上GaAs的异变外延生长
Heteroepitaxial Growth of GaAs on Maskless Roundpillar Nanopatterned Si Substrate
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | O782 |
| 栏目: | 材料、结构及工艺 |
| 项目基金: | 国家“973”计划项目(2010CB327600)；中央高校基本科研业务费专项项目(2013RC1205). |
| 收稿日期: | 2013-11-26 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2014-09-01 |
| 通讯作者: | 李玉斌 (wangjun12@bupt.edu.cn) |
| 备注: | -- |
李玉斌, 王俊, 王琦, 邓灿, 王一帆, 任晓敏. 无掩模Si圆柱纳米图形衬底上GaAs的异变外延生长[J]. 半导体光电, 2014, 35(4): 625. LI Yubin, WANG Jun, WANG Qi, DENG Can, WANG Yifan, REN Xiaomin. Heteroepitaxial Growth of GaAs on Maskless Roundpillar Nanopatterned Si Substrate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2014, 35(4): 625.
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