发光学报, 2018, 39 (5): 687, 网络出版: 2018-06-29  

高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件

Highly-sensitive Sb-based Quantum-well 2DEG-Hall Device
作者单位
西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20183905.0687
中图分类号: TN305;TN382
栏目: 器件制备及器件物理
项目基金: 国家自然科学基金青年基金项目(51302215)、 陕西省教育厅科研计划(17JK0698)、 陕西省科技厅专项基金(2016KRM029)资助项目
收稿日期: 2017-11-05
修改稿日期: 2018-01-13
网络出版日期: 2018-06-29
通讯作者: 武利翻 (wulf0608@163.com)
备注: --

武利翻, 苗瑞霞, 商世广. 高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件[J]. 发光学报, 2018, 39(5): 687. WU Li-fan, MIAO Rui-xia, SHANG Shi-guang. Highly-sensitive Sb-based Quantum-well 2DEG-Hall Device[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(5): 687.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!