发光学报, 2018, 39 (5): 687, 网络出版: 2018-06-29
高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件
Highly-sensitive Sb-based Quantum-well 2DEG-Hall Device
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20183905.0687 |
中图分类号: | TN305;TN382 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 国家自然科学基金青年基金项目(51302215)、 陕西省教育厅科研计划(17JK0698)、 陕西省科技厅专项基金(2016KRM029)资助项目 |
收稿日期: | 2017-11-05 |
修改稿日期: | 2018-01-13 |
网络出版日期: | 2018-06-29 |
通讯作者: | 武利翻 (wulf0608@163.com) |
备注: | -- |
武利翻, 苗瑞霞, 商世广. 高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件[J]. 发光学报, 2018, 39(5): 687. WU Li-fan, MIAO Rui-xia, SHANG Shi-guang. Highly-sensitive Sb-based Quantum-well 2DEG-Hall Device[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(5): 687.