高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2018, 39 (5): 687, 网络出版: 2018-06-29

高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件

Highly-sensitive Sb-based Quantum-well 2DEG-Hall Device

武利翻 ^*苗瑞霞商世广

作者单位

西安邮电大学电子工程学院, 陕西西安 710121

霍尔器件量子阱双δ掺杂分子束外延 Hall device quantum well double δ-doping molecular beam epitaxy

知识挖掘

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本文相似领域研究进展，

知识服务

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分子束外延

130篇

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Molecular beam epitaxy

82篇

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2篇

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1篇

double δ-doping

1篇

本文研究领域论文发表情况（统计图）：

武利翻, 苗瑞霞, 商世广. 高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件[J]. 发光学报, 2018, 39(5): 687. WU Li-fan, MIAO Rui-xia, SHANG Shi-guang. Highly-sensitive Sb-based Quantum-well 2DEG-Hall Device[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(5): 687.

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