红外与激光工程, 2017, 46 (12): 1204003, 网络出版: 2018-01-19  

分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应

Temperature effect of InAlSb infrared detectors on photoelectric properties by molecular beam epitaxy
作者单位
1 中国空空导弹研究院, 河南 洛阳 471009
2 红外探测器技术航空科技重点实验室, 河南 洛阳 471009
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陈刚, 李墨, 吕衍秋, 朱旭波, 曹先存. 分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应[J]. 红外与激光工程, 2017, 46(12): 1204003. Chen Gang, Li Mo, Lv Yanqiu, Zhu Xubo, Cao Xiancun. Temperature effect of InAlSb infrared detectors on photoelectric properties by molecular beam epitaxy[J]. Infrared and Laser Engineering, 2017, 46(12): 1204003.

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