量子电子学报, 2011, 28 (6): 742, 网络出版: 2011-12-05
4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
Optimal simulation of parameters for multiplication layer of 4H-SiC avalanche photodiode
基本信息
DOI: | 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.017 |
中图分类号: | TN312 + .7 |
栏目: | 半导体光电 |
项目基金: | 福建省自然科学基金项目(2009J05151)资助 |
收稿日期: | 2010-12-14 |
修改稿日期: | 2011-03-14 |
网络出版日期: | 2011-12-05 |
通讯作者: | 钟林瑛 (zlybp101@163.com) |
备注: | -- |
钟林瑛, 洪荣墩, 林伯金, 蔡加法, 陈厦平, 吴正云. 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟[J]. 量子电子学报, 2011, 28(6): 742. ZHONG Lin-ying, HONG Rong-dun, LIN BO-jin, CAI Jia-fa, CHEN Xia-ping, WU Zheng-yun. Optimal simulation of parameters for multiplication layer of 4H-SiC avalanche photodiode[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2011, 28(6): 742.