激光技术, 2017, 41 (5): 654, 网络出版: 2017-09-21
AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器
AlGaInAs/InP strain-compensated multiple quantum well laser
基本信息
DOI: | 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2017.05.007 |
中图分类号: | TN248.4 |
栏目: | 激光物理与激光器件 |
项目基金: | 国家八六三高技术研究发展计划资助项目(2015AA016901)、山西省自然科学基金资助项目(2015011050) |
收稿日期: | 2016-10-20 |
修改稿日期: | 2016-11-21 |
网络出版日期: | 2017-09-21 |
通讯作者: | 田彦婷 (yanting_005@163.com) |
备注: | -- |
朱天雄, 贾华宇, 李灯熬, 罗飚, 刘应军, 田彦婷. AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器[J]. 激光技术, 2017, 41(5): 654. ZHU Tianxiong, JIA Huayu, LI Dengao, LUO Biao, LIU Yingjun, TIAN Yanting. AlGaInAs/InP strain-compensated multiple quantum well laser[J]. Laser Technology, 2017, 41(5): 654.