发光学报, 2019, 40 (7): 865, 网络出版: 2019-07-31
Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理
Influence Mechanism of Ni Interlayer on Ag/p-GaN Interfacial Contact Performance
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20194007.0865 |
中图分类号: | O482.31;O484.4 |
栏目: | 材料合成及性能 |
项目基金: | 国家自然科学基金青年科学基金(61604066)、 国家重点研发计划(2016YFB0400600,2016YFB0400601)、 国家自然科学基金重点项目(61334001,21405076,11604137,11674147,51602141)资助 |
收稿日期: | 2018-07-17 |
修改稿日期: | 2018-10-16 |
网络出版日期: | 2019-07-31 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
徐帅, 王光绪, 吴小明, 郭醒, 刘军林, 江风益. Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理[J]. 发光学报, 2019, 40(7): 865. XU Shuai, WANG Guang-xu, WU Xiao-ming, GUO Xing, LIU Jun-lin, JIANG Feng-yi. Influence Mechanism of Ni Interlayer on Ag/p-GaN Interfacial Contact Performance[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2019, 40(7): 865.