红外与激光工程, 2006, 35 (3): 294, 网络出版: 2006-10-20   

HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征

Growth and defects characterization of HgCdTe film grown by LPE method
作者单位
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
引用该论文

魏彦锋, 陈新强, 曹妩媚. HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征[J]. 红外与激光工程, 2006, 35(3): 294.

魏彦锋, 陈新强, 曹妩媚. Growth and defects characterization of HgCdTe film grown by LPE method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2006, 35(3): 294.

引用列表
1、 液相外延碲镉汞薄膜缺陷综述红外与激光工程, 2023, 52 (7): 20220804
3、 50 mm×50 mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术红外与毫米波学报, 2017, 36 (1): 49

魏彦锋, 陈新强, 曹妩媚. HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征[J]. 红外与激光工程, 2006, 35(3): 294. 魏彦锋, 陈新强, 曹妩媚. Growth and defects characterization of HgCdTe film grown by LPE method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2006, 35(3): 294.

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