半导体光电, 2013, 34 (6): 930, 网络出版: 2014-01-02  

基于非辐射复合缺陷测量的GaN基LED老化性能研究

Study on Aging Properties of GaN LEDs Based on the Measurement of Nonradiative Recombination Defect Density
作者单位
清华大学 深圳研究生院 深圳市信息科学与技术重点实验室,广东 深圳 518055
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