激光与光电子学进展, 2014, 51 (3): 032301, 网络出版: 2014-03-03
InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究 下载: 710次
Research on Efficiency Improvement of InGaN Light-Emitting Diodes with InGaN/GaN Superlattice Barrier
基本信息
DOI: | 10.3788/lop51.032301 |
中图分类号: | TN304.23 |
栏目: | 光学器件 |
项目基金: | 江苏省自然科学基金(11074280,BK2011436) |
收稿日期: | 2013-10-22 |
修改稿日期: | 2013-12-16 |
网络出版日期: | 2014-03-03 |
通讯作者: | 杨国锋 (gfyang@jiangnan.edu.cn) |
备注: | -- |
杨国锋, 朱华新, 郭颖, 李果华, 高淑梅. InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51(3): 032301. Yang Guofeng, Zhu Huaxin, Guo Ying, Li Guohua, Gao Shumei. Research on Efficiency Improvement of InGaN Light-Emitting Diodes with InGaN/GaN Superlattice Barrier[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2014, 51(3): 032301.