激光与光电子学进展, 2014, 51 (3): 032301, 网络出版: 2014-03-03
InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究 下载: 710次
Research on Efficiency Improvement of InGaN Light-Emitting Diodes with InGaN/GaN Superlattice Barrier
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杨国锋, 朱华新, 郭颖, 李果华, 高淑梅. InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51(3): 032301. Yang Guofeng, Zhu Huaxin, Guo Ying, Li Guohua, Gao Shumei. Research on Efficiency Improvement of InGaN Light-Emitting Diodes with InGaN/GaN Superlattice Barrier[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2014, 51(3): 032301.