发光学报, 2019, 40 (9): 1115, 网络出版: 2019-09-27
高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制
Radiation Effects of InGaAs Single Junction Solar Cell by High Fluence 1 MeV Electron
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20194009.1115 |
中图分类号: | TN304.2+3;O475 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 国家自然科学基金(61534008,11275262)、 中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101)、 中科院西部之光西部青年学者项目(2017-XBQNXZ-B-004)资助 |
收稿日期: | 2019-01-18 |
修改稿日期: | 2019-03-18 |
网络出版日期: | 2019-09-27 |
通讯作者: | 慎小宝 (1766095575@qq.com) |
备注: | -- |
慎小宝, 李豫东, 玛丽娅·黑尼, 赵晓凡, 莫敏·赛来, 许焱, 雷琪琪, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 郭旗, 陆书龙. 高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制[J]. 发光学报, 2019, 40(9): 1115. SHEN Xiao-bao, LI Yu-dong, Maliya HEINI, ZHAO Xiao-fan, Momin SAILAI, XU Yan, LEI Qi-qi, Aierken ABUDUWAYITI, GUO Qi, LU Shu-long. Radiation Effects of InGaAs Single Junction Solar Cell by High Fluence 1 MeV Electron[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2019, 40(9): 1115.