高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2019, 40 (9): 1115, 网络出版: 2019-09-27

高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制

Radiation Effects of InGaAs Single Junction Solar Cell by High Fluence 1 MeV Electron

慎小宝 ^1,2,*李豫东 ¹玛丽娅·黑尼 ¹赵晓凡 ¹莫敏·赛来 ¹许焱 ^1,3雷琪琪 ^1,2艾尔肯·阿不都瓦衣提 ¹郭旗 ¹陆书龙 ⁴

作者单位

¹ 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆乌鲁木齐 830011

² 中国科学院大学, 北京 100049

³ 新疆大学物理科学与技术学院, 新疆乌鲁木齐 830046

⁴ 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏苏州 215123

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慎小宝, 李豫东, 玛丽娅·黑尼, 赵晓凡, 莫敏·赛来, 许焱, 雷琪琪, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 郭旗, 陆书龙. 高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制[J]. 发光学报, 2019, 40(9): 1115. SHEN Xiao-bao, LI Yu-dong, Maliya HEINI, ZHAO Xiao-fan, Momin SAILAI, XU Yan, LEI Qi-qi, Aierken ABUDUWAYITI, GUO Qi, LU Shu-long. Radiation Effects of InGaAs Single Junction Solar Cell by High Fluence 1 MeV Electron[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2019, 40(9): 1115.

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