应用英国Edinburgh FLS920P型稳态和时间分辨荧光光谱仪, 对日落黄与诱惑红溶液进行荧光光谱的实验测量, 得到日落黄荧光峰在420 nm, 诱惑红荧光峰在432 nm。 进一步, 应用Gaussian 09W软件构建日落黄分子与诱惑红分子的基态和激发态的几何构型, 基于密度泛函理论和含时密度泛函理论, 完成对两种分子基态和激发态的优化和计算。 优化过程中, 采用MPWK泛函和6-31g(d)基组; 计算过程中, 采用B3LYP泛函和6-311g(d, p)基组。 考虑到溶剂效应对计算结果的影响, 因此在计算过程中引入了极化连续介质模型, 最后计算得到日落黄的荧光峰在435 nm, 与实验所得有3.57%的相对误差; 计算得到诱惑红荧光峰在443 nm, 与实验所得有2.55%的相对误差, 两种分子荧光峰的相对误差都在允许范围之内, 说明计算合理。 在分析光谱特性时, 发现两种分子荧光峰的产生与分子内电荷转移有关。

运用Gaussian 09W量子化学程序包, 对胭脂红分子进行基态和激发态几何结构构型优化, 计算得到激发态电子结构、 分子前线轨道和发射光谱等信息; 应用英国Edinburgh FLS920P 光谱仪, 实验测定胭脂红溶液的荧光光谱。 比较荧光发射光谱的计算值与实验值, 吻合较好, 说明优化所得构型基本合理。 进一步对比胭脂红分子基态和激发态结构, 分析荧光光谱产生的机理, 发现胭脂红分子激发态几乎呈平面结构, 为强荧光物质, 其荧光由139→137轨道的跃迁产生。

采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇（IPA）和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵（CATC）溶液中制备多孔硅结构阵列，分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明：在质量分数40%HF, H2O, IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列；腐蚀电流密度越大，孔壁越薄；初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10 μm，在窗口8 μm、间距5 μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔，并随着CTAC的增加，小孔的孔径减小，数量增加。