研究了随相位位置变化的量子行走的性质,以及硬币和行走者之间的纠缠度。行走者回到原点的概率以及位置方差随演化时间呈准周期性变化,这种量子行走即为准周期演化量子行走。通过纠缠熵度量硬币和行走者之间的纠缠关联。数值计算表明纠缠熵与系统初态、演化步数以及相位因子有关。选择合适的硬币操作,纠缠熵随着演化步数呈现准周期性变化。对于给定的初态,选择适当的相位因子和演化步数,可使硬币与行走者处于最大纠缠态。

采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜，用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分，用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构, 并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700 ℃高温退火处理后仍为非晶态，而在900 ℃高温退火处理后出现晶化。采用Tauc-Lorentz (TL)色散模型对测试得到的曲线进行拟合并分析得出薄膜的光学常数，结果表明，薄膜的折射率随退火温度的升高而增加，而消光系数随退火温度的升高呈降低趋势。薄膜的光学带隙随着退火温度的升高增加，采用外推法得到薄膜沉积态和经500 ℃，700 ℃，900 ℃退火后的带隙分别为5.62，5.65，5.68，5.98 eV。