为了提高LD抽运脉冲微片激光器的输出性能和系统的集成度, 采用龙格-库塔法对包含自发辐射与抽运速率的被动调Q速率方程进行了数值求解, 结合被动调Q激光器输出参量的表达式对LD端面抽运的键合Nd∶YAG/Cr4+∶YAG微片激光器输出参量进行了数值仿真。结果表明, 利用长度1mm/1.5mm的键合Nd∶YAG/Cr4+∶YAG晶体作为增益介质, 当Cr4+∶YAG的初始透过率为75%、输出镜的透过率为30%、抽运光和腔内基模光半径均为100μm时, 能够在抽运功率为4.5W的条件下实现平均功率0.7W、脉冲宽度174ps、重复频率16.1kHz的理论激光输出。该研究对被动调Q微片激光器的参量优化和应用具有理论指导意义。

散热管理是保障半导体激光器功率稳定性的关键因素。因此, 了解半导体激光器的传热过程并解决其散热问题, 是实现半导体激光器工程化应用的重要环节。对半导体激光器散热管理方式的工作原理和典型散热方法进行了综述, 期望为从事高功率半导体激光研究的人员提供技术参考。