InP/InGaAs短波红外单光子探测器（SPAD）是目前制备技术较为成熟且获得广泛应用的单光子探测器，通过半导体热电制冷（TEC）即可达到的工作温度(−40 ℃左右)，具有体积小、成本低，方便安装和携带的应用优势；另外，基于常规半导体二极管的芯片制造工艺很容易实现大面阵单光子阵列，除了探测信号，还具备三维数字成像功能。国外包括美国、瑞士、意大利、韩国、日本等对InP/InGaAs SPAD进行了长期持续的研究，目前已研制出单管的货架产品，性能还在不断的优化和改进之中，其单光子探测器阵列呈现了清晰的三维成像效果，正在逐步应用。国内包括重庆光电技术研究所、中国科学院上海技术物理所、西南技术物理研究所、中国科学技术大学、云南大学等对InP/InGaAs SPAD芯片先后进行了器件设计和器件制备研究，目前单管的性能已经达到与国外报道相当的性能。国内单光子探测器阵列的研究获得了一定的进展，但芯片规模和器件性能有待提升。文中对国内外InP/InGaAs短波红外单光子探测器的发展，在设计和研制中存在的问题，以及近10年来的优化改进进行了介绍，重点介绍了高温、高速以及单光子焦平面阵列的发展，并结合新颖的离化工程和新的材料体系发展，分析了未来的短波红外单光子探测器的发展趋势。

短波红外波段作为“大气透过窗口”之一，探测器工作在该波段能获得目标更多的辐射能量。另外，短波红外对近室温目标的探测成像类似于可见光的反射式成像，一方面拥有中长波红外探测缺少的细节分辨能力，另一方面具有穿透烟雾进行成像等可见光探测不具备的能力。随着短波红外探测器在**、民用领域的广泛应用，对短波红外探测器的性能、成本提出了更高的要求，InGaAs探测器由于高达约70%~90%的量子效率、室温下约8000 cm²/(V·s)的高迁移率，以及高灵敏度、高速响应、低成本的应用优势，是目前短波红外探测器的最佳选择。为了进一步扩展波长、提高分辨率、降低成本，发展了基于II类超晶格、胶体量子点、硅基材料等新材料和新工艺的短波红外探测器。文中对美国、法国、以色列、中国等国内外短波红外探测器的发展现状进行了归纳整理，对有关短波红外探测器的新材料和新工艺进行了报道，最后探讨分析了短波红外探测器的未来发展趋势。