液晶材料是信息显示设备中的重要组成部分, 其在外场作用下所表现的高双折射特性是其被用于显示的关键条件。利用强太赫兹波作为外场, 激发液晶5CB材料的双折射效应。结合太赫兹时域光谱系统通过测量不同偏振的太赫兹波的透过率, 研究了太赫兹场致液晶在太赫兹波段的双折射效应。分析了液晶的双折射效应与外场强的变化关系、频率响应特性等方面。研究结果表明在强场太赫兹波激发下, 液晶的双折射现象随场强的增大而增大, 双折射值与外部场强平方成正比, 且液晶5CB对于太赫兹激发的双折射效应存在一定的阈值。

层状二维过渡金属硫属化合物是一类重要的二维层状半导体材料。其中MoTe2因其具有较小的禁带宽度和较高的载流子迁移率而备受关注。应用光泵浦-宽谱太赫兹时域光谱系统研究了少层MoTe2薄膜材料的宽谱太赫兹透射谱、光生载流子在皮秒尺度上的动力学过程及其光电导率的变化。应用空气等离子体产生宽谱太赫兹辐射并利用磷化镓晶体探测的方法测量了谱宽在0.2~7.2 THz范围内少层MoTe2薄膜的透过谱, 发现其在3.6、4.6、6.4以及7 THz处存在吸收峰。应用800 nm脉冲光激发少层MoTe2薄膜, 并测量其在皮秒时间尺度上的太赫兹光谱, 得到少层MoTe2薄膜中光生载流子寿命约为1.6 ps。在此基础上进一步研究了不同泵浦-探测时间差下光电导率变化量的实部和虚部。发现随着延迟时间的增加, 电导率变化量实部由约600 Ω-1cm-1到300 Ω-1cm-1逐渐降低, 虚部值约为200 Ω-1cm-1并不随泵浦-探测时间差而明显改变, 这一结果表明少层MoTe2薄膜具有较高的电导率及较长的激子寿命。给出了少层MoTe2薄膜在0.2~7.2 THz波段的吸收谱、光生载流子演化过程及寿命以及少层MoTe2材料光电导率变化量等物理参数, 对设计基于少层MoTe2材料的新型光电器件提供了参考。

介绍了一种自主搭建的测量落体在自由下落过程中旋转角速度的装置,评估了不同落体旋转角速度引入的旋转误差对重力测量的影响。针对具有旋转初速度的落体在真空腔内自由下落的运动模型,该装置采用光杠杆原理,将高精度位置传感器(PSD)作为光跟踪设备,研究并推导出落体由旋转所导致的反射光位移与下落时间的关系。然后,对PSD采集记录的时间位移曲线进行拟合,求解落体单次下落的旋转角速度值。在调整真空腔垂直度后,最大旋转角速度值可减小为16.88 mrad/s,引入的重力测值不确定度为0.57 μGal,即该状态下落体的释放更加平稳。实验表明,该装置不仅可以进一步提升绝对重力仪中落体传动机构的装调精度,还可以对光学干涉绝对重力仪工作过程中的落体姿态进行监测,进一步降低落体旋转所引入的测量不确定度。

太赫兹时域光谱技术可以为中药材鉴别与研究提供新方法。中药材对透射的太赫兹光波没有明显的特征吸收谱线, 但太赫兹光波与中药材物质的作用机理表现为一个与中药材种类及厚度有关的太赫兹光波低通滤波器。针对制备的中药材样品厚度很难标准化, 提出中药材样品厚度归一化数据处理方案。利用不同厚度样品的太赫兹透射光波电场强度采样数据, 拟合出标准厚度(1 mm)中药材样品的太赫兹透射光波电场强度数据, 进而计算出每种标准厚度样品对应的中药材低通滤波器的 3个参数 (α,β,γ), 实验结果证明了方案的可行性, 可以用来区分中药材的种类。

随着太赫兹成像技术的不断成熟，其空间分辨率和系统信噪比逐渐提高，成像速度逐渐加快，光学信息获取能力逐渐变强，人们对太赫兹成像在基础研究和工业应用的开发也逐渐深入。本文综述了近年来科研人员利用太赫兹数字全息成像系统进行的部分研究工作，包括对平板太赫兹元件的性能表征、对光控太赫兹元件的功能验证、对衍射太赫兹场中的纵向分量进行观测、以及对金属亚波长器件的太赫兹表面波进行分析。这些工作的完成对于太赫兹集成系统的研究和太赫兹成像技术的应用都具有积极的推动作用。

随着太赫兹技术的逐渐成熟，太赫兹数字全息术作为其中重要的发展方向之一，已经逐渐在众多科研和工业领域显示了强大的应用实力。近些年太赫兹全息术取得了长足的进展，包括系统的开发和应用。建立了一套具有高分辨率、高信噪比、偏振测量能力的太赫兹全息成像系统。同时，将此系统应用到了对平板太赫兹元件的性能表征，对太赫兹波导进行模式测量，对会聚太赫兹波产生的Gouy相移进行观测。这些工作对最终将太赫兹数字全息术用于实际具有积极的推动作用。