1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春130022
2 吉林大学物理学院, 吉林 长春 130023
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调节,进而提升了样品性能。
薄膜 砷化镓 光致发光 硫钝化 光电流 光响应
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
利用等离子体增强原子层沉积系统, 使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀, 改善样品的发光特性.在室温下(300 K), 发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中, 发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰, 峰位位置在0.743 eV处; 此外, 带边发光峰位随温度变化从0.796 eV移动到0.723 eV.对比室温和低温光谱, 发现当N等离子体刻蚀功率为100 W时, Te掺杂GaSb的最佳刻蚀周期是200周期; 并且氮钝化没有改变Te掺杂GaSb的发光机制, 只是提高了样品的辐射复合效率.
光致发光 钝化 等离子体增强原子层沉积 氮等离子体 Photoluminescence Passivation GaSb GaSb Plasma enhanced atomic layer deposition Nitrogen plasma
