渭南师范学院 物理与电气工程学院, 陕西 渭南 714099
根据半导体光电子学理论, 分析了光注入非平衡载流子（电子-空穴对）的瞬态输运机理, 研究了不同条件下的SI-GaAs光电导偶极天线太赫兹波辐射功率和辐射强度的饱和效应。结果表明其主要原因是在外加偏置电场作用下, 光注入载流子出现了空间电荷电场屏蔽和辐射电场屏蔽现象, 对提高太赫兹波辐射功率和辐射强度起到了遏制作用。对于电极间隙大小不同的天线, 两种屏蔽效应的作用不同; 在触发光能一定的情况下, 照射光斑较大时屏蔽效应较小。
光电导天线 太赫兹波 载流子 饱和效应 photoconductive antenna THz electromagnetic wave carrier saturation effect
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根据能带电子输运理论, 对光激发热电子的产生、弛豫、复合过程进行了分析, 并利用蒙特卡罗方法对不同电场中热电子输运的漂移速度瞬变特性进行了模拟。在稳态条件下, 光电导及其相应的光电特性主要决定于复合过程; 而在强电场和高激发状态下, 则主要决定于热电子的行为。实验选用横向型GaAs光电导开关, 在一定的偏置电压条件下输出线性与非线性两种不同模式的电脉冲, 实验结果与理论一致。
热电子 光电导 瞬态输运 hot-electron photoconductance transient transport
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根据量子统计理论，结合材料的晶格结构和能带特点，研究了半导体材料电子态的微观结构及非平衡载流子的量子统计分布特性；分析了电子-声子相互作用的微观状态和弛豫过程，对强电场作用下非平衡载流子的分布函数、弛豫过程及输运过程的非线性特性和瞬态特性进行了研究，揭示出非平衡载流子的微观相互作用及瞬态输运机理。
强电场 载流子 弛豫过程 输运过程 high electric field carrier relaxation process transport process
