1 天津大学 微电子学院，天津市成像与感知徽电子技术重点实验室，天津 300072
2 天津大学 电气自动化与信息工程学院，天津 300072
基于UMC 0.18μm CMOS工艺，提出一种适合紫外/蓝光探测的探测器，该器件由栅体互联的NMOS晶体管和横向/纵向光电二极管构成.其中，浅结的光电二极管由UMC工艺中Twell层（浅P阱）和Nwell层形成，以增强其对紫外/蓝光的吸收，栅体互联的NMOS晶体管可以放大光电流，提高探测器的灵敏度和动态范围.仿真结果表明，本文设计的紫外/蓝光探测器具有低的工作电压和暗电流，对300~550 nm波长范围的光具有高的响应度和宽的动态范围.在弱光条件下（光强小于1 μW/cm2），响应度优于105 A/W，随着光强增大，响应度逐渐降低，但总体仍超过103 A/W.
光电器件 响应度 弱光探测 紫外/蓝光 CMOS工艺 动态范围 选择性 Photoelectric devices Responsivity Weak-light detection Ultraviolet/blue light CMOS technology Dynamic range Selectivity
