为改善TFT特性, 采用感应耦合等离子体(ICP）设备进行4-Mask光刻胶(PR）灰化工艺, 光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻胶灰化工艺条件对a-Si膜层残留的影响, 结果表明: 压力、偏压射频功率是产生膜层残留的主要因素, O2用量为次要因素。通过光刻胶灰化工艺优化得出了改善膜层残留的条件: 压力≥2.66 Pa, 源极功率∶偏压功率≥3∶1, qv(SF6)∶qv(O2)≥1∶60, 对感应耦合等离子体设备在光刻胶灰化工艺中的进一步应用具有非常重要的意义。

为了满足全光网络中大容量数据上传、下载的需求, 提出了一种结合波分复用(WDM)、偏振复用(PDM)以及空分复用(SDM)的可重构光分插复用器(ROADM), ROADM使光分插复用器(OADM)上传、下载的能力提升了12倍。对基于WDM和PDM的OADM进行实验搭建和性能分析, 结果表明, 基于WDM和PDM的OADM不仅能够实现密集WDM, 还能稳定地实现PDM, 主要输出端口的偏振态稳定度达到0.01, 偏振分束器输出端的快、慢轴分光比接近1∶1, 插入损耗小于9 dB。对基于光子灯笼(PL)和SDM的OADM进行模型搭建, 分别实现了6种模式和3种模式的复用, 结果表明, 基于PL和SDM的OADM不同模式间的有效折射率差大于6×10-4, 模间串扰小、隔离度高。