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Research Articles
一种InP HEMT分布小信号模型建模方法
戚军军 1吕红亮 1,*程林 1张玉明 1[ ... ]段兰燕 2
作者单位
摘要
1 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室，陕西 西安 710071
2 中兴通讯股份有限公司，广东 深圳 518057
提出了一种用于InP 高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor，HEMT）的分布式小信号等效电路建模方法。在采用的模型中考虑了分布电容效应，通过加入三个分布电容来表征。为了精确建模，在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差，首先提取了寄生电感。在达到50 GHz的InP HEMT中，小信号建模方法的有效性得到了验证。此外，在2～50 GHz频率范围内，S参数建模误差小于4%，这也证明了所提出建模方法的高建模精度。
分布式模型 小信号模型 模型参数 提取方法 高电子迁移率晶体管 distributed model small signal model model parameters extraction methods high electron mobility transistor（HEMT） 
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红外与毫米波学报
2022, 41(2): 511
Millimeter Wave and Terahertz Technology
一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法
戚军军 1吕红亮 1,*张玉明 1张义门 1张金灿 2
作者单位
摘要
1 School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an7007, China
2 Electrical Engineering College, Henan University of Science and Technology, Luoyang47103, China
提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数，并将其成功地应用InP异质结双极晶体管（HBT）小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比，该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取，提取过程较为清晰。除寄生参数外，其余所有的参数计算均未经过任何简化近似。该方法依赖于S参数的测量，所有等效电路参数直接从S参数数据中提取，而无需任何基于初始值的近似。在0.1 ~ 40 GHz的频率范围内，直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证，并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性。
直接提取法 磷化铟异质结双极型晶体管 小信号模型 参数提取 direct extraction method InP HBT small-signal model parameter extraction 
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红外与毫米波学报
2020, 39(3): 295
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