分析了在 1 550 nm 波长下超薄金属膜(金膜厚t=10 nm)V-型槽等离子波导间长程沟道等离激元导模的定向耦合。通过计算不同波导间距下的模式分布，得出了定向耦合器中奇、偶模有效折射率实部和传播长度随波导间距的变化情况，并进一步计算了相邻波导间的耦合长度、最大串扰与波导间距的关系曲线。计算结果表明：在波导间距较小时，耦合长度小于各模式的传播长度，随着波导间距的增加，耦合长度随之增加，最大串扰随之减小。对超薄金属膜V-型槽等离子波导的定向耦研究在集成光路的实际应用中具有重要的价值。

提出并分析了一种结构紧凑的截线型滤波器。该滤波器建立在一种硅基混合型表面等离激元波导结构上。与通常的混合等离激元结构相比, 该波导结构在制作时只需对顶部的一层硅材料进行刻蚀, 不需在光刻步骤进行对准和套刻, 工艺简单易行。该截线滤波器由一截突柱波导与直波导耦合组成, 并采用三维时域有限差分方法对其频谱响应进行模拟计算。计算结果表明该滤波器与现有文献中的二维金属-绝缘体-金属波导截线滤波器具有类似的频谱特性。另外, 还进一步分析了截线部分及波导自身尺寸对器件输出频谱的影响。

在LED中引入了Al0.1Ga0.9N-AlxGa1-xN-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层, 并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层AlxGa1-xN的Al组分“x”)的变化对LED性能带来的影响。研究发现, 具有三明治结构电子阻挡层(EBL)的LED比传统LED具有更好的发光特性, 并且其性能与电子阻挡层中的势阱深度密切相关。究其原因, 一是由于电子阻挡层内部不同程度的晶格失配而引入的极化电场引起了电子阻挡层的有效势垒高度的不同; 二是在于电子阻挡层中的势阱所产生的空穴聚集效应也会随着势阱深度的变化而变化。故而使得空穴注入效率和电子阻挡层对电子的限制作用在不同势阱深度的LED样品中有所不同。