1 国立交通大学，新竹 30010，中国 台湾
2 莫斯科国立大学，莫斯科 119991，俄罗斯
3 俄罗斯科学院 西伯利亚分院 气候与生态系统监测研究所，托木斯克 634055，俄罗斯
4 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033
5 俄罗斯科学院 西伯利亚分院 矿物学和地质学研究所，新西伯利亚 630090，俄罗斯
6 俄罗斯托木斯克洲立大学 西伯利亚物理技术研究所，托木斯克 634050，俄罗斯
从GaSe∶AgGaSe2熔体(质量掺杂浓度为10%)中生长的非线性光学晶体ε-GaSe∶Ag晶体(质量掺杂浓度≤0.04%)是一种非中心对称晶体，可用于相位匹配频率转换。Ag的掺入使GaSe晶体的显微硬度提高了30%，从而使其可以在任意方向上进行切割和抛光。本文研究了GaSe∶AgGaSe2晶体在可见、中红外及太赫兹波段的光学性能。实验证明: GaSe∶AgGaSe2晶体的吸收系数是纯GaSe晶体的2倍，其CO2激光倍频效率是ZnGeP2晶体的1.7倍。
GaSe∶AgGaSe2晶体 光学特性 中红外波段 THz波段 二次谐波振荡 GaSe∶AgGaSe2 crystal optical property mid-infrared THz range Second Harmonic Generation(SHG)
1 国立交通大学，新竹 30010，中国 台湾
2 俄罗斯科学院 西伯利亚分院 气候与生态系统监测研究所，托木斯克 634055，俄罗斯
3 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033
4 俄罗斯托木斯克洲立大学 西伯利亚物理技术研究所，托木斯克 634050，俄罗斯
采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体，并分别对掺杂浓度为0.01%，0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe:Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明：当Te掺杂浓度小于0.38%时，振动中心位于0.59 THz附近的E′(2)刚性模式吸收峰强度可达最大值，这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E′(2)刚性模式吸收峰强度逐渐减弱，当Te掺杂浓度为1%时，E′(2)刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe:Te晶体光学质量的下降密切相关。因此，E′(2)刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度，光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。
硒化镓 掺碲硒化镓 晶体生长 光学性能 太赫兹 GaSe GaSe:Te crystal crystal growth optical property THz
1 交通大学 电子物理系，中国 新竹 30010
2 Institute of Monitoring of Climatic and Ecological Systems of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Tomsk Russia
利用太赫兹时域光谱技术测量了掺硫硒化镓(GaSe1-xSx)晶体在太赫兹波段的光学参数，包括折射系数、吸收系数等。使用自由空间电光取样法获得了太赫兹电磁波的脉冲波形，对不同硫掺杂量的硒化镓晶体进行了研究，在硫的掺杂量为0, 0.01, 0.14, 0.26，0.37时，在0.2~2.0 THz测得了GaSe1-xSx的折射系数、吸收系数等光学参数。此外还在吸收光谱上观察到E′(2)和E″(2)两个声子振动模态，其强度与频率会随着硫的掺杂量而改变，且即使是微量的硫掺杂也会影响吸收光谱上的声子振动模态。最后，在相位匹配ee-e的条件下，模拟了利用锁模钛蓝宝石激光使此类晶体产生太赫兹辐射的可能性。
掺硫硒化镓晶体 太赫兹辐射 太赫兹时域光谱 sulfur-doped GaSe crystals THz radiation terahertz time-domain spectroscopy
