作者单位
摘要
1 中国核动力研究设计院,反应堆燃料及材料国家重点实验室,成都 610213
2 四川大学机械工程学院,成都 610065
为探究钎焊过程对SiC陶瓷晶体结构的影响,为钎焊工艺设计提供理论及试验数据支撑,本研究采用纯Ni箔作为中间层在1 100~1 245 ℃下实现了6H-SiC的钎焊连接,并研究了焊缝以及6H-SiC基体与焊缝界面处的微观形貌。研究结果表明,少量Ni原子在钎焊过程中会扩散进入6H-SiC陶瓷,并以固溶形式存在,降低了6H-SiC层错能。随着钎焊温度升高,6H-SiC/焊缝界面处的焊后残余应力增大,当钎焊温度达到1 245 ℃时,界面处的6H-SiC的(0001)面沿1/3 <1100>方向产生滑移, 6H-SiC切变形成3C-SiC。因此,SiC陶瓷在钎焊过程中受应力和钎料组成元素的作用发生相变,针对特殊环境使用的SiC陶瓷需要斟酌钎焊工艺对其晶体结构及性能的影响。
相变 钎焊 残余应力 6H-SiC 6H-SiC 3C-SiC 3C-SiC phase transformation brazing residual stress 
人工晶体学报
2023, 52(8): 1516
郭可飞 1,2尹飞 1,2刘立宇 1,2乔凯 1,2[ ... ]王兴 1,2,*
作者单位
摘要
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 超快诊断技术重点实验室,西安 710119
2 中国科学院大学 材料与光电研究中心,北京 100049
对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研究发现,当深扩散深度为2.3 μm固定值时,浅扩散深度存在对应最佳目标值。浅扩散深度越深,相同过偏压条件下倍增区中心雪崩击穿概率越大,电场强度也会随之增加。当两次Zn扩散深度差小于0.6 μm时,会发生倍增区外的非理想击穿,导致器件的暗计数增大。Zn扩散横向扩散因子越大,倍增区中心部分雪崩击穿概率越大,而倍增区边缘雪崩击穿概率会越小。在扩散深度不变的情况下,浅扩散Zn掺杂浓度对雪崩击穿概率无明显影响,但深扩散Zn掺杂浓度越高,相同过偏压条件下雪崩击穿概率越小。本文研究可为设计和研制高探测效率、低暗计数InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管提供参考。
雪崩光电二极管 InGaAs/InP Zn扩散 单光子探测 雪崩击穿概率 Avalanche photodiodes InGaAs/InP Zn diffusion Single photon detection Avalanche breakdown probability 
光子学报
2023, 52(6): 0604001
李鸣 *
作者单位
摘要
山东交通学院 交通与物流工程学院, 济南 250023
平滑图像中的噪声是数字图像处理中非常重要的组成部分。在图像处理过程中,为了有效地实现保边缘平滑,在各向异性扩散模型和含有噪声的图像数据统计特性的基础上,提出了一个能自适应地获取参数的各向异性扩散去噪模型。该模型针对不同程度的噪声图像采用不同的参数值。实验结果表明,改进后的各向异性扩散模型的性能优于Perona-Malik模型,是一种较为理想的保边缘平滑模型。
图像处理 平滑噪声 各向异性扩散模型 image processing smoothing noise anisotropic diffusion model 
光电子技术
2014, 34(1): 49
Author Affiliations
Abstract
Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin 300384, China
The 4f7 6s(9S)np 8PJ (J=5/2, 7/2, 9/2) Rydberg series converging to the first ionization limit 4f7 6s 9S4 of the Eu atom using the three-step laser excitation and electric-field-ionization (EFI) method are studied. First, the Eu atom is excited from the 4f7 6s2 8So7/2 ground state to the 4f76s7s 8So7/2 state through the 4f7 6s6p 10P9/2 state by the first two dye lasers. Next, it is populated to many higher-n members of the 4f7 6s(9S)np 8PJ Rydberg series by the third dye laser whose wavelength is scanned within a certain range. Finally, the atom in these higher-n states is ionized by the external pulsed electric field. With the field strength up to 2 kV/cm, we can detect the atom in 4f76s(9S)np 8PJ states with n>40. With the given laser line width, the level energies of Rydberg states with n as high as 72 can be determined. We not only confirm the previous data on the 4f76s(9S) np 8PJ Rydberg series, but also extend the n-value assignment significantly by detecting more states.
020.0020 Atomic and molecular physics 020.5780 Rydberg states 300.0300 Spectroscopy 300.6210 Spectroscopy, atomic 
Chinese Optics Letters
2011, 9(5): 050201
作者单位
摘要
1 军械工程学院, 石家庄 050003
2 桂林空军学院, 广西 桂林 541001
为了合理安排测试的先后顺序,实现故障的有效检测和隔离,提出了基于信息流模型和列表寻优法进行测试选择和测试序列的优化,构建了测试性故障隔离诊断体系。结合实例对所生成的诊断策略进行了分析,证明了算法的有效性。
测试选择 诊断策略 故障隔离 电子装备 test selection diagnosis tactics fault separation electronic equipment 
电光与控制
2010, 17(12): 71
作者单位
摘要
1 军械工程学院, 石家庄 050003
2 桂林空军学院, 广西 桂林 541001
针对目前国内测试性分析的理论较杂, 缺少综合、适用的分析系统的问题, 研究了利用功能—行为—结构(FBS)模型描述测试性的技术, 提出了基于故障模式、影响和危害性分析法, 利用FBS模型进行测试性分析, 构建了测试性层次型预计体系。
故障测试 故障隔离 电子设备 测试性分析 测试性建模 fault test fault isolation electronic equipment testability analysis testability modeling 
电光与控制
2010, 17(11): 49
作者单位
摘要
天津理工大学 理学院,天津 300384
利用双色三光子共振电离光谱技术,对处于42896-44854 cm-1能域内的铕(Eu)原子奇宇称高激发态的光谱特性进行了研究,报道了该能域内93个高激发态的光谱信息。一方面,采用了三种不同的激发路径,不仅测量了这些高激发态的能级位置,还给出了它们的光电离信号的相对强度;另一方面,结合电偶极跃迁的选择定则,对所得光谱数据进行了细致地分析和比较,唯一确定了各原子态的总角动量J。通过与相关文献资料进行对比,不仅确认了许多高激发态的研究结果,还发现了25个新的奇宇称高激发态。此外,还对文献中的少数高激发态的光谱归属进行了修正,并唯一地确定了这些高激发态的J值。
原子与分子物理学 奇宇称高激发态光谱 多步共振激发 铕原子 
光学学报
2010, 30(7): 2142
作者单位
摘要
中山大学光电材料与技术国家重点实验室, 广州 510275
提出了一种实现大行程飞秒激光脉冲对相位控制的方法。其设计思想是:在迈克耳孙干涉仪中,利用改变激光偏振态的方法改变输出两光束的光程差因子。在对He-Ne激光输出的两束光实现相位锁定的基础上,进而提出了一种可对于超短激光双脉冲相对相位差实现超大行程控制的方法。对He-Ne激光的动态相位锁定、以及飞秒激光脉冲对的相对相位差控制分别作了实验验证。对He-Ne激光的静态相位锁定结果表明干涉仪两臂光程差可以控制在纳米精度;而飞秒激光脉冲测量自相关曲线与理论拟合结果非常接近,经傅里叶变换可得到较好的单峰谱图。该系统能够在实验范围中几乎无行程限制地实现飞秒激光脉冲对的相对相位动态稳定控制。
超快光学 超快光谱学 相位控制 反馈控制 
光学学报
2006, 26(6): 948
作者单位
摘要
中山大学光电材料与技术国家重点实验室, 广东 广州 510275
由相干度理论和准单色光理论出发研究了发光二极管(LED)的时间相干与空间相干特性,并采用时间分辨为亚飞秒的迈克尔逊干涉仪对LED的相干度进行了测量记录。由记录所得的干涉图计算得到LED的发射光谱、相干时间及时间相干度;并通过比较其可见度和时间相干度推算出其空间相干度;最后提出由空间相干度计算LED发光面积的方法和使用LED光源测量材料中超快弛豫过程的可能性。分析了实验中的误差并提出修正方法,为采用LED作为稳态与时间分辨光谱光源提供了必要的理论与实验依据。
激光物理 相干度 迈克尔逊干涉仪 发光二极管 时间相干性 空间相干性 
中国激光
2005, 32(1): 31

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