采用水热合成法制备了八面体结构纳米CeO2∶Er3+, 并研究了稀土Er3+离子掺杂对CeO2纳米晶的结构以及发光特性的影响。所合成的CeO2纳米晶具有八面体结构, 结晶完好, 粒度均匀。XRD和拉曼光谱测试结果表明所制备的CeO2纳米晶为面心立方萤石结构, 稀土Er3+离子的掺杂在基质晶格中产生了氧空位缺陷, 并产生了晶格畸变。在980 nm激光激发下产生了稀土Er3+离子绿色(2H11/2,4S3/2→4I15/2)、红色(4F9/2→ 4I15/2)和近红外(4I11/2,4I13/2→4I15/2)发光。随着稀土Er3+离子掺杂浓度的变化, 样品的发光光谱在可见光和近红外光范围产生了不同的猝灭浓度, 这是由于掺杂浓度变化对Er3+-Er3+之间的交叉驰豫过程产生了影响, Er3+的能级布居变化引起了发光特性的改变。

研究了蛇形轧制工艺参数对铝合金厚板变形与残余应力分布的影响。基于蛇形轧制的咬入条件与本构模型以及边界条件等关键技术, 构建了铝合金厚板的单道次蛇形轧制有限元模型, 并与相关文献的仿真结果进行了比较, 结果显示其相对误差不超过10%。考虑最小、最大压下量均相等的条件下压下量分配对蛇形轧制的影响, 建立了多道次蛇形轧制的有限元模型并进行了仿真实验。结果表明: 铝厚板应变不是按板厚中心面呈对称分布, 慢速辊一侧的应变明显小于快速辊一侧, 而且压下量对称递增分配产生的应变最大, 单向递增分配产生的应变最小, 对称递增比单向递增分配压下量产生的应变平均要高出20%左右。此外, 压下量对称递减分配引起的剪切应变最大, 单向递增分配引起的剪切应变最小, 对称递减分配比单向递增分配压下量产生的剪切应变要高出2倍。

提出了一种基于MEMS技术的红外动态图像生成技术。利用热传导方程，建立了可见光/红外图像转换膜的理论模型；介绍了可见光/红外图像转换膜制作的工艺流程，制作了一张像元数为512×512、像元尺寸为35 μm的可见光/红外图像转换膜。并利用转换膜构造了红外动态图像生成装置，通过实验对红外动态图像生成装置的性能进行了研究。利用MEMS技术制作的可见光/红外图像转换膜可以工作在红外3~5 μm和8~12 μm两个波段。根据实验测得红外图像生成装置的空间分辨率为14 lp/mm，在3～5 μm波段，所生成红外图像的温度范围为250~440 K，在8～12 μm波段，所生成红外图像的温度范围为250~400 K。

利用钎焊工艺实现氧化铝敷铜陶瓷基板与铝箔的连接，成功制备出了具备良好导热性能的新型铝/氧化铝复合陶瓷基板。采用机械抛光、化学抛光和电解抛光等方式对铝表面层进行抛光处理。研究结果表明机械抛光、化学抛光和电解抛光等抛光方式均可有效提高铝层表面的光洁度和平整度。而复合抛光即先化学抛光再电解抛光的样品表面粗糙度最低、平整度最好，样品表面反光率在4种抛光方式中最高。

结温/热阻是反映激光器器件散热能力的综合参数，与封装焊料层的烧结质量关系密切。本文分别通过正向电压法和波长漂移法，测试计算得到激光器的工作结温，利用扫描声学显微镜分析了激光器焊料层中空洞分布；验证了结温测试方法的可行性，并确认了激光器结温与焊料层烧结质量之间的对应关系，相关结果将指导半导体激光器的研制改进和器件分筛。

采用高折射率的SiC 晶体材料，作为布氏片的选频器件，实现了单纵模绿光激光器的稳定工作，输出功率达120 mW。通过理论分析和实验证明，相较于现有的采用K9 玻璃，采用高折射率的SiC 晶体作为选频器件，使整个光学系统更容易调节，且器件工作更加稳定，更易实现商品化。

使用共沉淀法制备不同掺杂浓度的CeO2∶Eu3+的荧光粉, 并利用XRD, 激发和发射光谱对其光学性质进行了研究。 PL激发光谱中出现300～400 nm的源于基质CeO2的强吸收宽带以及较弱的Eu3+的7F0-5D2(467 nm) 吸收峰。 由于Ce4+和Eu3+半径十分接近, 因而Eu3+在CeO2中具有较高的固溶度。 当高浓度Eu3+掺杂CeO2时, 出现了7F0-5D2(467 nm) 吸收峰的极大增强。 在467 nm激发下获得了Eu3+的5D0—7F1(592 nm) 和5D0—7F2(612 nm)跃迁的特征红光发射。 与电荷迁移带激发下获得的红光相比, 在467 nm蓝光激发下获得的红光强度是其5倍。 7F0—5D2(467 nm) 的强电子吸收与蓝光LED芯片的输出波长相匹配, 在蓝光激发下获得明亮的红光发射。 因此, Eu3+掺杂CeO2荧光粉是一种有潜力的用于白光LED的红色荧光粉。