1 装甲兵技术学院 电子工程系， 吉林 长春 130117
2 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室， 吉林 长春 130022
为提高高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)光电性能，对氧化限制型高功率VCSEL湿法腐蚀工艺进行了实验研究。实验中采用H3PO4系溶液替代以往制备此类器件常用的H2SO4系溶液作为高功率VCSEL外延片的腐蚀液，利用扫描电镜(SEM)研究了腐蚀后外延片氧化窗口的腐蚀形貌变化与腐蚀液浓度的关系，消除了以往采用H2SO4系溶液腐蚀时，高功率VCSEL氧化层侧壁出现的“燕尾”结构; 通过改变湿法腐蚀工艺的外部温度条件和腐蚀液的浓度配比，实验研究了高功率VCSEL湿法腐蚀速率规律，最后得出了制备高功率VCSEL时湿法腐蚀工艺的最佳外部温度条件与腐蚀液的最佳浓度配比。
激光技术 垂直腔面发射激光器 湿法腐蚀 腐蚀速率 laser technique VCSEL wet etching etching rate
1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
2 中国人民解放军装甲兵技术学院, 长春 130117
为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制, 提高其光电特性, 对湿法氧化工艺进行了实验研究.在不同的氧化温度下, 对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化.采用X射线能谱分析仪, 对氧化后模拟片的氧化层按不同的氧化深度对其氧化生成物进行检测.依据氧化生成物中氧元素组分浓度的变化, 对氧化过程进行了分析与讨论, 推导出在一定的温度下, 氧化速率随时间变化的一般规律.提出了在垂直腔面发射半导体激光器的湿法氧化工艺过程中, 适当降低氧化温度, 延长氧化时间, 可减小氧化限制孔径的控制误差,提高氧化工艺的准确性与稳定性.
垂直腔面发射激光器 湿法氧化 X射线能谱分析 氧化限制孔径 VCSEL Wet oxidation X-ray micro-analyses Oxide-aperture
