利用直流磁控溅射方法在单晶硅片和内径为22 mm、长度分别为500 mm和1500 mm的银铜管道内壁镀制了Ti-Zr-V非蒸散型吸气剂薄膜，并对镀膜管道的极限真空进行了测量。结果显示：在180 ℃下激活24 h后，镀制了Ti-Zr-V薄膜真空管道的极限真空度可以达到9.2×10⁻¹⁰ Pa。在关闭测试系统和离子泵的阀门后，系统仅依靠Ti-Zr-V薄膜的吸气依然能够维持在9×10⁻⁹ Pa很长时间。利用测试粒子蒙特卡罗法对薄膜的抽速和容量进行了分析和测量，结果显示，Ti-Zr-V薄膜对CO的初始粘附系数最大可以达到0.3，容量可以达到1.2个分子层。

在合肥先进光源（HALF）建设中，由低温超导材料组成的真空部件被大量使用，尤其是超导高频腔。超导腔以高加速梯度、低束流阻抗、高无载品质因数和低运行成本等特点，成为21世纪国际上拟建的大型加速器的首选。而超导腔和低温真空室内表面的二次电子发射可能会引发电子云（EC）现象。超剂量的二次电子倍增功率沉积会引起低温区域热负载增加、超导腔失超等现象，因此降低超导高频腔内二次电子发射成为合肥先进光源设计过程中的巨大挑战。在常温材料二次电子产额（SEY）测试系统的基础上，作者自主研发设计低温样品架结构，使液氦流经样品台并通过热传导冷却样品，计算漏热来反推所需要的制冷量和液氦的消耗速率。在系统集成调试后进行降温性能测试，搭建了低温材料二次电子测试系统。